时间: 2024-11-11
纳微半导体正式登陆纳斯达克以股票代码NVTS上市交易
来源：ld体育app下载 发布时间：2024-11-11 22:43:20
纳微首席执行官在公司创立仅 7 年后敲响了纳斯达克开市钟（股票代码NVTS）
•超过 10 亿美元的企业价值以及超过 3.2 亿美元的合并总收益将推动纳微向新市场扩张
美国东部时间2021年10月20日，氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体（“纳微”）的股票，真正开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。首席执行官Gene Sheridan在公司领导团队的陪伴下，在纽约纳斯达克MarketSite敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。
氮化镓 (GaN)是新一代半导体技术，其工作速度比传统硅芯片快20倍，并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍。纳微的GaNFast™功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件，使用简单、外形小巧、充电更快、节约能源的效果更强。GaNFast™ 功率芯片被应用在130多种型号的移动充电器中，在移动充电器的应用领域超过所有其他氮化镓公司的总和，这中间还包括小米、戴尔、联想、LG、亚马逊、OPPO、安克、贝尔金和其他几十家主要制造商生产的快速充电器。截至2021年10月，纳微已交付3000万多颗GaNFast功率芯片，未收到任何故障报告，在移动市场中展示出卓越的质量和可靠性，为纳微向消费、太阳能、能源储备、数据中心和电动汽车市场扩张铺平了道路。
纳微所有的联合发起人都依旧在纳微任职，均现场参加了纳斯达克敲钟仪式，包括首席执行官 Gene Sheridan、首席运营官兼首席技术官Dan Kinzer、工程副总裁Nick Fichtenbaum以及应用和技术营销副总裁Jason Zhang。凭借130多项已获得或正在申请的专利，以及包括专有工艺设计套件(PDK)在内的重要商业机密，纳微相信我们在下一代氮化镓功率芯片领域拥有，并将持续拥有多年的领先优势。
福克斯、CNBC、Bloomberg现场直播了敲钟仪式，Facebooklive同步进行网上直播，洛杉矶、上海、深圳、台北、马尼拉以及别的地方的纳微同事、纳微投资人观看了直播。各地区的纳微同事们举行了当地的庆祝仪式。
纳微首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“这是激动人心的一天，也是向整个新一代电源ECO表示祝贺的好时机，包括我们才华横溢的芯片设计师、勤勉敬业的销售和应用团队、合作伙伴客户和战略投资者等等。”他表示：“我们的第一个七年见证了纳微知识产权、营业收入、客户数量的急速增长……在接下来的七年中，我们期待看到纳微加快进入电动汽车领域的步伐，从而加速实现电动汽车的普及。为数据中心节省数十亿美元的电力成本，以及到2050年，每年为全球减少26亿吨二氧化碳排放量。Let’s Go GaNFast！”
时代广场纳斯达克大厦的屏幕上展示了纳微重要投资人发来的贺电，其中许多投资人与纳微团队一起登台庆祝。纳微吉祥物“小氮星”和“小镓星”（分别代表化学元素氮和镓）在美国正式亮相，象征着氮化镓的速度和“纳微芯球”的能量。多个品牌宣传视频突出展示了GaNFast品牌及其快速、轻巧和纤薄的特点。视频同时强调了氮化镓的主要环境优势，即与传统硅芯片相比，每个最终交付的氮化镓功率芯片最多可减少四千克的二氧化碳排放量。
纳微于10月19日完成了与Live OakAcquisition Corp. II（“Live Oak II”）的业务合并。Live Oak II前首席执行官、现任纳微董事会成员Rick Hendrix表示：“我们今天与纳微团队一起庆祝纳微上市。纳微是一家深度科技公司。纳微团队向投资者自信并全面地展示了新一代的技术、多样化的市场以及使氮化镓功率芯片取得长久成功的详细的商业模式。我们已决定与纳微的高级管理团队锁定多年的合作伙伴关系，这表明我们对这项突破性技术的信心以及对长期投资者的承诺。”
纳微半导体成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。纳微的普通股和认股权证于 2021 年 10 月 20 日星期三起在纳斯达克全球市场进行交易，股票代码分别为“NVTS”和“NVTSW”。纳微拥有一支强大且不断成长的功率半导体行业的专家团队。这支团队在材料、器件、应用、系统和市场营销方面合计拥有超过300年的经验。此外，公司创始人技术创新记录卓著，合计拥有超过200项专利。氮化镓功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件，充电速度更快、功率密度更高、节约能源的效果更强，适用于移动、消费、企业、电动交通和新能源市场。纳微已经获得或正在申请的专利有130多项。纳微已交付了3000多万颗GaNFast功率芯片，没有收到任何故障报告。
Live Oak II在2020年12月筹集了2.53亿美元资金，其投资单位、A类普通股和认股权证于2021年10月20日之前已在纽约证券交易所上市，股票代码分别为“LOKB.U”、“LOKB”和“LOKB WS”。Live Oak II是一家空白支票公司，其成立的商业目的是与一家或多家企业实施合并、资本股票交换、资产收购、股票购买、重组或开展类似的公司合并行为。Live Oak II拥有经验比较丰富的管理者、运营者和投资者。他们曾经在上市公司和非上市公司的建立、运营以及收购工作中发挥及其重要的作用，并为股东创造价值。该团队在广泛的行业领域拥有丰富的运营和投资经验，为公司带来了多元化的经验以及宝贵的专业相关知识和见解。
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全球半导体供应商罗姆与世界级电源制造商台达电子达成战略合作伙伴关系，共同开发和量产下一代 GaN（氮化镓）功率器件。 将台达多年积累的电源器件开发技术与 罗姆久经考验的电源开发和制造专业相关知识相结合，将可以开发出针对各种电源系统优化的 具有600V 击穿电压GaN 功率器件。 罗姆已于 2022 年 3 月建立了150V GaN HEMT 的量产系统，该系统具有突破性的8V栅极耐压。这将使 罗姆能够扩展其用于物联网通信和工业设施（即基站、数据中心）电源电路的新EcoGaN 产品阵容) ，同时进一步提升设备性能。 罗姆株式会社 CSO 常务执行官 Kazuhide Ino表示：“OHM 特别高兴与全球领先的电源和热管理领导
英诺赛科(珠海)科技有限公司举行8英寸 硅基氮化镓 通线投产仪式。据悉，这是中国首条实现量产的8英寸 硅基氮化镓 生产线。由于高温环境下生长的氮化镓薄膜冷却时受热错配应力的驱动下，易发生破裂或翘曲，成为 硅基氮化镓 大英寸化的主要障碍，英诺赛科采取独有技术解决了这一挑战，将硅基氮化镓晶圆尺寸推进到8英寸。下面就随手机便携小编共同来了解一下相关联的内容吧。 英诺赛科董事长骆薇薇表示：“经过2年的努力我们终于建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线，并成功量产，添补了我国在这一领域的空白。这既是一个里程碑也是一个新的起点。公司将继续在技术前沿上推进，把握行业发展的新趋势，在应用领域上不断开拓，在市场上与多方合作，将公司建成行业
据台媒报道，恩智浦半导体（NXP）宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的6英寸射频氮化镓（GaN）晶圆厂，这是美国境内专注于5G射频功率放大器的最先进晶圆厂。 恩智浦表示，这座全新氮化镓晶圆厂已通过认证，首批产品将持续推出上市，预计2020年底将达到产能满载。 恩智浦指出，此全新工厂结合恩智浦射频功率领导者的专业与大规模量产技术，代表实现创新，有助支持5G基站与先进通信基础设施在工业、航空航天和国防市场的扩展。 恩智浦半导体总裁兼首席执行官Kurt Sievers在演讲中表示，今日象征着恩智浦的重要里程碑。通过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才，让恩智浦能够更聚焦于发展氮化镓技术，将其作为推动下一
5G 高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术，同时，GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好GaN市场强劲成长爆发力，世界先进(5347)经过3年研发布局，今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程将进入量产，成为全世界第一家提供8吋GaN晶圆代工的业者，大啖 5G 及车电市场大饼。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。 台积电及世界先进近年来积极投入GaN制程研发，今年可望开花结果，合力抢进快速成长的GaN晶圆代工市场。台积电与德商戴乐格(Dialog)等客户合作，已开始提供6吋GaN晶圆代工服务;世界先进与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手
Power Integrations（PI）于2019年7月27日发布了结合PowiGaN技术的全新InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC， 利用GaN（氮化镓）技术，让InnoSwitch的产品在整个负载范围内提供95%的高效率转换，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。 这款产品的发布日期专门选在了PI二季度财报当天，足见该技术对PI未来的重要性。PI总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示：“ 在实现高效率和小尺寸方面，氮化镓是一项明显优于硅技术的关键技术。我们预计众多电源应用会从硅晶体管快速转换为氮化镓。 自从我们在18个月之前推出硅技术新器件以来，In
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L 氮化镓系列新产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。 这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管，这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转
新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值 /
Navitas(音译：纳微达斯) 半导体日前宣布推出基于其专利的AllGaN 650V单片平台上研发的业界首款氮化镓（GaN）驱动与功率集成芯片。集成逻辑电路、驱动电路的氮化镓功率芯片(GaN Power IC)可以在一定程度上完成比现有的硅电路高10倍至100倍的开关频率， 使得系统体积更小，重量更轻，成本更低。新一代高频(10x~100x)，高效率的电源变换器正在应用于智能手机和笔记本充电器、OLED 电视、LED照明、太阳能逆变器、无线充电设备和数据中心电源。 氮化镓功率管(GaN FET)由于其固有的高开关速度和高开关效率，使其在电力电子市场取代硅类开关器件具有巨大的潜力 Navitas 的首席技术官 & 首席运营管 DanKin
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